1.1.IGBT基本情況
電力電子技術是以電子（弱電）為手段去控制電力（強電）的技術，使電網的工頻電能最終轉換成不同性質、不同用途的電能，以適應不同用電裝置的不同需求。
電力電子技術以電子學、電力學和控制論相互交叉結合為基礎，研究電能的變換和利用，廣泛應用于高壓直流輸電、電力機車牽引、交直流轉換、電加熱、電解等各種領域中。
電力電子器件是電力電子技術的核心。
電力電子器件即功率半導體器件，也稱為功率電子器件，是進行功率處理的半導體器件。
典型的功率處理功能包括變頻、變壓、變流、功率放大、功率管理等，是電力電子裝臵的心臟。
雖然功率器件在整臺電力電子裝臵中的價值通常不會超過總價值的20%-30%，但對整機的總價值、尺寸、總量、動態性能、過載能力、耐用性和可靠性起著十分重要的作用。
IGBT是現代電力電子器件中的主導型器件，被譽為電力電子行業里的“CPU”。
IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管，是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品。
IGBT作為工業控制及自動化領域的核心元器件，能夠根據信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現精準調控的目的，被稱為現代電力電子行業里的“CPU”，廣泛應用于電機節能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發電、新能源汽車等眾多領域。
IGBT既有MOSFET的開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優點，又有BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點，是電力電子領域較為理想的開關器件。
IGBT可以看做由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）組成的復合功率半導體器件。
BJT即三極管，是電流驅動器件，基本結構是兩個背靠背的PN結，基極和發射極之間的PN結稱為發射結，基極和集電極之間的PN結稱為集電結，通過控制輸入電壓和基極電流可以使三極管出現電流放大或開關效應。
MOSFET是電壓型驅動器件，以常用的N溝道MOS管為例，通過在P型半導體上方加入金屬板和絕緣板，即柵極，在使用中保持源級和漏級電壓不變，柵極加正電壓，MOS管呈導通狀態，降低柵極電壓，MOS管呈關閉狀態。
由于柵極所帶來的電容效應，使得MOS管只需要很小的驅動功率即可實現高速的開關作用。
BJT通態壓降小、載流能力大，但驅動電流小，MOSFET驅動功率小、快關速度快，但導通壓降大、載流密度小。
IGBT可以等效為MOS管和BJT管的復合器件，在保留MOS管優點的同時增加了載流能力和抗壓能力，自20世紀80年代末開始工業化應用以來發展迅速，成為電力電子領域中最重要的功率開關器件之一，在6500V以下的大功率高頻領域逐漸取代了晶閘管和功率MOSFET器件。
1.2.IGBT的分類
IGBT在應用層面通常根據電壓等級劃分：
低壓IGBT：指電壓等級在1000V以內的IGBT器件，例如常見的650V應用于新能源汽車、家電、工業變頻等領域。
中壓IGBT：指電壓等級在1000-1700V區間的IGBT器件，例如1200V應用于光伏、電磁爐、家電、電焊機、工業變頻器和新能源汽車領域，1700V應用于光伏和風電領域。
高壓IGBT：指電壓等級3300V及以上的IGBT器件，比如3300V和6500V應用于高鐵、動車、智能電網，以及工業電機等領域。
在產品層面通常根據封裝方式分類：
IGBT單管：封裝規模較小，一般指封裝單顆IGBT芯片，電流通常在50A以下，適用于消費、工業家電領域。
IGBT模塊：是IGBT最常見的形式，將多個IGBT芯片集成封裝在一起，功率更大、散熱能力更強，適用于高壓大功率平臺，如新能源車、主流光伏、高鐵等。
功率集成（IPM）：指把IGBT模塊加上散熱器、電容等外圍組件，組成一個功能較為完整和復雜的智能功率模塊。
1.3.IGBT技術發展歷程及趨勢
IGBT技術的整體發展趨勢是大電流、高電壓、低損耗、高頻率、功能集成化、高可靠性。
從20世紀80年代至今，IGBT芯片經歷了7代升級，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場—截止型（FS-Trench），芯片面積、工藝線寬、通態飽和壓降、關斷時間、功率損耗等各項指標經歷了不斷的優化，斷態電壓也從600V提高到6500V以上。
第一代：PT-IGBT，使用重摻雜的P+襯底作為起始層，在此之上依次生長N+buffer，N-base外延，最后在外延層表面形成原胞結構，由于體內晶體結構本身原因造成“負溫度系數”，各IGBT原胞通態壓降不一致，不利于并聯運行，第一代IGBT電流只有25A，且容量小速度低，目前已基本退出市場。
第二代：改進版PT-IGBT，采用精細平面柵結構，增加一個“緩沖層”，在相同的擊穿電壓下實現了更薄的晶片厚度，從而降低了IGBT導通電阻，降低了IGBT工作過程中的損耗，提高了IGBT的耐壓程度。
第三代：Trench-IGBT，采用Trench結構，通過挖槽工藝去掉柵極下面的JFET區，把溝道從表面變到垂直面，基區的PIN效應增強，柵極附近載流子濃度增大，提高了電導調制效應減小了導通電阻，有效降低導通壓降及導通損耗。
第四代：NPT-IGBT，使用低摻雜的N-襯底作為起始層，先在N-漂移區的正面做成MOS結構，然后從背面減薄到IGBT電壓規格需要的厚度，再從背面用離子注入工藝形成P+集電極，在截止時電場沒有貫穿N-漂移區，因此稱為NPT“非穿通”型IGBT。
可以精準的控制結深而控制發射效率，盡可能地增快載流子抽取速度來降低關斷損耗，保持基區原有的載流子壽命而不會影響穩態功耗，同時具有正溫度系數特點。
第五代：FS-IGBT，采用先進的薄片技術并且在薄片上形成電場終止層，大大的減小了芯片的總厚度，使得導通壓降和動態損耗都有大幅的下降，從而進一步降低IGBT工作中過程中的損耗。
第六代：FS-Trench-IGBT，是在第五代基礎上改進溝槽柵結構，進一步增加芯片的電流導通能力，優化芯片內的載流子濃度和分布，減小了芯片的綜合損耗。
第七代：微溝槽柵-場截止型IGBT，溝槽密度更高，原胞間距也經過精心設計，并且優化了寄生電容參數，從而實現5kv/us下的最佳開關性能。
總體而言，不同代際升級趨勢為升高耐壓程度，降低開關損耗，在結構上大體表現在以下兩方面：
柵極結構方面：
早期IGBT是平面柵結構，隨著Trench（干法刻槽）工藝的成熟，將平面型柵極結構變成垂直于芯片表面的溝槽型結構，IGBT的本質是通過控制柵極與發射級之間的電壓大小，從而實現對IGBT導通和截止狀態的控制。
當柵極-發射級電壓≤0時，IGBT呈關斷狀態，當集電極-發射級電壓≥0且柵極-發射級電壓＞閾值電壓，IGBT呈導通狀態。
溝槽型結構單元面積小、電流密度大、通態損耗降低約30%，擊穿電壓更高。
縱向結構方面：
早期是穿通型（PT）和非穿通型（NPT）結構。PTIGBT是最早商業化生產的IGBT，隨著使用應用中電壓等級越來越高，對NPT結構的基區寬帶要求越來越寬，又有了在高壓領域向穿通結構的回歸。
2、?國內空間廣闊，海外巨頭占據壟斷地位?2.1.國內IGBT模塊百億級市場空間，占全球40%以上
根據英飛凌年報，2019年英飛凌模塊產品全球市占率35.6%，斯達半導2.5%，英飛凌IGBT器件產品市占率32.5%，士蘭微2.2%。
2019年斯達半導IGBT模塊營業收入7.6億元，士蘭微IGBT器件營業收入約1億元，由此可推算2019年全球IGBT模塊市場規模約300億元，IGBT器件市場規模約45億元。
根據ASMC研究顯示，全球IGBT市場規模預計在2022年達到60億美元，全球IGBT市場規模在未來幾年時間仍將繼續保持穩定增長的勢頭。
根據中國產業信息網和頭豹研究院數據整理，2014年，我國IGBT行業市場規模為79.8億元，預測到2020年，我國IGBT行業將實現197.7億元的收入，年復合增長率達16.32%。
預計到2023年中國IGBT行業整體市場規模有望達到290.8億元，市場前景廣闊。
根據Yole預測，2024年我國行業IGBT產量預期達到0.78億只，需求量達到1.96億只，仍存在巨大供需缺口。
IGBT市場長期被英飛凌、富士電機等海外公司壟斷，英飛凌占據絕對領先的地位。
2019年英飛凌模塊產品全球市占率35.6%，器件產品全球市占率32.5%，IGBT模塊領域國內斯達半導是唯一進入前十的企業，市占率2.5%，IGBT器件領域國內士蘭微是唯一進入前十的企業，市占率2.2%。
國內產品供需不平衡，“國產替代”將是未來IGBT行業發展的主要方向。
2.2.工控領域及電源行業支撐IGBT穩定發展
IGBT模塊是變頻器、逆變焊機、UPS電源等傳統工業控制及電源行業的核心元器件，根據集邦咨詢數據，2019年全球工控市場IGBT市場規模約為140億元，中國工控市場IGBT市場規模約為30億元。
由于工控市場下游需求分散，工控IGBT市場需求較為穩定，假設未來每年保持3%的規模增速，預計到2025年全球工控IGBT市場規模將達到167億元。
變頻器行業：
據前瞻產業研究院測算，我國變頻器行業的市場規模整體呈上升態勢，從2012年至2019年，中國變頻器行業規模除2015年有小幅度下降以外，其余年份均處于穩步增長狀態。
2019年我國變頻器行業的市場規模達到495億元，相比2018年增長4.7%。
在一系列節能環保政策的指引下，預計未來5年內，變頻器將在電力、冶金、煤炭、石油化工等領域將保持穩定增長，在市政、軌道交通、電梯等領域需求進一步增加，從而促進市場規模擴大，未來幾年整體增幅將保持在10%左右，到2025年，變頻器市場規模將達到883億。
變頻器靠內部IGBT的開關來調整輸出電源的電壓和頻率，根據電機的實際需要來提供其所需要的電源電壓，進而達到節能、調速的目的，變頻器產業的快速發展勢必導致IGBT需求提升。
逆變式弧焊電源，又稱弧焊逆變器，是一種新型的焊接電源。這種電源一般是將三相工頻（50赫茲）交流網路電壓，先經輸入整流器整流和濾波，變成直流，再通過IGBT模塊的交替開關作用，逆變成幾千赫茲至幾萬赫茲的中頻交流電壓，同時經變壓器降至適合于焊接的幾十伏電壓，后再次整流并經電抗濾波輸出相當平穩的直流焊接電流。
根據國家統計局數據，2020年我國電焊機產量為1108.93萬臺，同比2019年增加了158.87萬臺。
UPS電源系統，IGBT被廣泛應用于不間斷電源系統(UPS)的設計中，數據顯示，1200V/100AIGBT的導通電阻為同規格耐壓功率MOSFET的1/10，開關時間為同規格GTR的1/10。
據QYR電子研究中心統計，2018年全球不間斷電源（UPS）市場價值為105.37億美元，預計到2025年底將達到139.66億美元。
2.3.家電行業是IGBT器件的穩定市場
變頻空調、冰箱、洗衣機的核心控制部件是變頻控制器，它承擔了電機驅動、PFC功率校正以及相關執行器件的變頻控制功能。
而變頻控制器很重要的一環就是IPM模塊，IPM將功率器件芯片（IGBT+FRD或高壓MOSFET）、控制IC和無源元件等這些元器件高密度貼裝封裝在一起，通過IPM，MCU就能直接高效地控制驅動電機，配合白家電實現低能耗、小尺寸、輕重量及高可靠性的要求。
中國作為全球最大的家電市場和生產基地，IPM的應用潛力十分強勁。
以空調行業為例，根據產業在線的數據，2020年我國變頻空調銷量達7485萬臺，同比增長10.02%，并且未來變頻空調有望在空調市場進一步滲透，面向變頻空調應用的IGBT的市場空間將十分廣闊。
同時，作為變頻白色家電的另外兩大市場，變頻冰箱和變頻洗衣機市場增速顯著。2020年，中國變頻冰箱銷量為2507萬臺，同比增長26.38%，中國變頻洗衣機銷量為2627萬臺，同比增長0.91%。
從IPM需求量看，空調對IPM需求量最高，2018年達1.3億塊，冰箱達2000多萬塊，洗衣機為1600多萬塊。
分不同家電來看，變頻冰箱會使用5-10A的IPM，單個價值量在1美金左右；變頻洗衣機會使用10A左右的IPM，單個價值量在2-3美金；變頻空調會使用15-30A的IPM，平均價值量約為4-5美金，由此可測算出2018年家電IPM市場空間為5億美金左右市場規模，隨著變頻家電滲透率的逐漸提升，市場空間會進一步擴大。
2.4.新能源發電為IGBT帶來持續發展動力
目前新能源發電以光伏和風力發電為主，以光伏發電為例，在太陽光照射下太陽能電池陣列產生電能輸出直流電，但輸出的電能不符合電網要求，需通過逆變器將其整流，再逆變成符合電網要求的交流電后輸入并網。
以往光伏發電系統是采用MOSFET構成的逆變器，然而隨著電壓的升高，MOSFET會因其通態電阻過大而導致增加開關損耗，IGBT因其通態電流大、耐壓高、電壓驅動等特點，在中、高壓容量的系統中更具優勢，在實際項目中IGBT已逐漸取代MOSFET作為光伏逆變器和風力發電逆變器的核心器件，新能源發電行業的迅速發展將成為IGBT行業持續增長的全新動力。
根據國際能源機構IEA數據顯示，2019年全球光伏新增裝機115GW，目前集中式光伏逆變器成本在0.16-0.17元/W，組串式光伏逆變器成本在0.2元/W左右，總體光伏逆變器成本在0.2元/W左右。
根據行業調研數據，IGBT模塊占光伏逆變器總成本比例約為10%，即光伏IGBT模塊價值量約為0.02元/W。
由此可測算出，2019年全球光伏IGBT價值量為23億元，據歐洲光伏產業協會預測，全球光伏裝機量未來5年將保持15%以上的復合增速，假設光伏逆變器出貨量每年保持15%增長，預計到2025年全球光伏IGBT市場規模將達到53億元。
國內逆變器廠商在全球光伏市場上持續突破，據Solaredge數據，2018年華為在全球逆變器市場的份額達22%。
據陽光電源2020年報披露，公司2015年起出貨量首次超越連續多年排名全球發貨量第一的歐洲公司，銷售收入7.51億元，全球市占率27%，已批量銷往德國、意大利、澳大利亞、美國、日本、印度等150多個國家和地區，國內光伏逆變器廠商的快速發展也為國產IGBT替代帶來更多產品應用的機會。
3、?新能源車的快速發展給IGBT帶來巨幅增量?3.1.IGBT是新能源車動力系統核心中的核心
新能源車的制動原理是利用電磁效應驅動電機轉動，IGBT優異的開關特性可以實現交直流轉換、電壓轉換和頻率轉換幾個核心功能，電動車充電時，通過IGBT將外部電源轉變成直流電，并把外部220V電壓轉換成適當的電壓給電池組充電。
電動車制動時，通過IGBT把直流電轉變成交流電機使用的交流電，同時精確調整電壓和頻率，驅動電動車運動。一臺車的加速能力、最高時速、能源效率主要看車規級功率器件的性能，硅基IGBT作為主導型功率器件，在新能源車中應用于電動控制系統、車載空調系統、充電樁逆變器三個子系統中，約占整車成本的7%-10%，是除電池以外成本第二高的元件，也是決定整車能源效率的關鍵器件。
新能車市場銷量：
根據中汽協發布的數據統計，2019年新能源車新產銷分別完成124.2萬輛和120.6萬輛，其中絕大部分為純電動汽車，產銷為102萬輛和97.2萬輛，插電式混合動力汽車產銷為22.0萬輛和23.2萬輛，2020年國內新能源車銷量為136.7萬輛。
2021年5月，新能源汽車產銷環比略增，同比繼續保持高速增長，產銷均為21.7萬輛，環比增長0.5%和5.4%，同比增長1.5倍和1.6倍。
單臺新能源車用量：
電動汽車單車IGBT的價格在A00級車的主控IGBT模塊價值量800-1000元，A級車1500左右，混動車在2000元左右，再綜合空調、充電等部分，平均電動汽車單車IGBT價值量為1000-4000不等。
根據Yole的統計，2016年全球電動車IGBT管用量約為9億美元，單車的IGBT管用量約為450美元。
新能源車IGBT市場空間推算：
據IDC預計，受政策推動等因素的影響，中國新能源汽車市場將在未來5年迎來強勁增長，2020年至2025年的年均復合增長率（CAGR）將達到36.1%，假設單臺車IGBT用量3000元左右來預估，至2025年，國內新能源車IGBT模塊市場規模為191億左右。
3.2.車規級IGBT性能要求更加嚴苛
對于新能源車用IGBT而言，一方面由于道路復雜性，車輛行駛中會受到較大的震動和沖擊，對IGBT強度要求較高，另一方面由于汽車頻繁啟停會引起IGBT水溫上升，對散熱提出了更高的要求。
針對車規級IGBT模塊的特殊要求，IGBT技術正朝著小型化、低功耗、耐高溫、高安全和智能化的方向發展，以富士電機新能源車用IGBT產品為例，重點考慮以下幾方面的設計：
小型化：由于需要在汽車有限的空間內安裝高壓蓄電池、電力轉換裝臵、電機等，因此電力轉換裝臵中使用的IGBT模塊要盡可能實現小型化。
散熱快：采用第三代直接水冷結構，加快散熱片之間的冷卻液流動速度，大幅降低熱阻。
低損耗：優化場截止結構，降低導通電壓和開關損耗，優化溝槽柵級結構，使得在關斷動作器件，電子和空穴更容易進行遷移，提高開關速度的可控性，降低損耗。
集成芯片傳感器：將電流傳感器、溫度傳感器和IGBT芯片集成于一個芯片上，實時監視IGBT工作時的電流和溫度。
采用高強度焊接材料：考慮到車用半導體多在惡劣環境下使用，特別是因溫度循環產生的應力導致連接絕緣基板和散熱底座的焊接部分出現裂痕后悔引起熱阻上升和芯片異常發熱從而導致IGBT模塊損壞，產品采用高強度焊接材料，抑制裂痕擴展。
3.3.車規級IGBT市場國外廠商依舊占據壟斷地位，國內廠商力求突破
目前國內車規級IGBT市場仍舊由國外廠商占據壟斷地位，三菱電機生產的IGBT已經成為業內默認的標準，中國的高速機車用IGBT由三菱完全壟斷，同時歐洲的阿爾斯通、西門子、龐巴迪也是一半以上采用三菱電機的IGBT，除日系廠家，英飛凌包攬了幾乎所有電動車的IGBT，例如特斯拉ModelX使用的132個IGBT管都由英飛凌提供。
由于IGBT行業存在技術門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難，國內企業在產業化進程中一直進展緩慢。
隨著全球制造業向中國的轉移，中國已逐漸成為全球最大的IGBT市場，IGBT國產化需求已是刻不容緩。
在市場需求的吸引下，一批具備IGBT相關經驗的海外華人歸國投身IGBT行業，同時國家大量資金流入IGBT行業，我國IGBT產業化水平有了一定提升，部分企業已經實現量產。
例如斯達半導，作為國內IGBT行業的領軍企業，自主研發的第二代芯片（國際第六代芯片FS-Trench）已實現量產，成功打破國外跨國企業長期以來對IGBT芯片的壟斷。
4、?行業公司?4.1.斯達半導
公司主營業務是IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發和生產，是國內IGBT的領先供應商。
起家于家電變頻器和工業級產品比如電焊產品，公司以IGBT技術為基礎，大力發展車規級功率器件，公司產品獲得良好的市場評價，尤其在2020年疫情后，英飛凌產能不足不能穩定供貨，公司拓展突飛猛進，快速擴張市場份額，目前在新能源汽車IGBT領域在國內名列前茅。
據公司2020年報披露，公司2020年IGBT模塊銷售規模排全球第七，打破了大功率工業級和車用級模塊完全依賴進口的被動局面，公司車規級IGBT模塊目前以A00為主，2020年公司生產的汽車級IGBT模塊合計配套超過20萬輛新能源汽車。
同時公司在車用空調，充電樁，電子助力轉向等新能源汽車半導體器件份額進一步提高，目前在A級車領域已經占據相當一部分份額。
4.2.中車時代電氣
公司是中車集團下屬子公司，我國軌道交通行業的牽引變流系統主力供應商，產品主要包括以軌道交通牽引變流系統為主的軌道交通電氣裝備、軌道工程機械、通信信號系統等。
同時，公司在功率半導體器件、工業變流產品、新能源汽車電驅系統、傳感器件、海工裝備等領域也均有業務布局。
科創板IPO審核狀態已于1月26日更新為“已問詢”。本次中車時代電氣若成功過會，將實現“A+H”兩地上市。
公司最早依靠英國Dynex公司為基礎進行IGBT業務拓展，此前Dynex公司已是高功率半導體排名前三的公司。
IGBT的技術發展途徑從6500V高壓到中低壓，從難到易，同時避免了低端IGBT的白熱化價格戰。公司市場空間偏向體系內，其體系下游企業優先采購自家產品，能驗證產品質量，形成良性循環。
相比之下，國內許多廠商很難得到驗證機會。
公司IGBT業務采用IDM模式，據公司科創板招股書披露，公司建有6英寸雙極器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的產業化基地，擁有芯片、模塊、組件及應用的全套自主技術，公司已為新能源汽車、風力發電、光伏發電、高壓變頻器等批量供應IGBT器件，750V和1200VIGBT應用至新能源汽車，并已與國內多個龍頭整車企業成為重要合作伙伴。
據2020年報披露，公司產品目前在廣汽、東風等車型已經獲得定點和訂單項目。
4.3.士蘭微
士蘭微成立于1997年，總部位于浙江杭州。公司從Fabless（純芯片設計）發展成為國內為數不多的IDM模式（設計與制造一體化）。
主要產品包括集成電路、半導體分立式器件、LED（發光二極管）產品等三大類。
公司被國家發展和改革委員會、工業和信息化部等國家部委認定為“國家規劃布局內重點軟件和集成電路設計企業”，陸續承擔了國家科技重大專項“01專項”和“02專項”多個科研專項課題。
公司依托于已穩定運行的5、6、8英寸芯片生產線和正在建設的12英寸芯片生產線和先進化合物芯片生產線，陸續完成了國內領先的高壓BCD、超薄片槽柵IGBT、超結高壓MOSFET、高密度溝槽柵MOSFET、快恢復二極管、MEMS傳感器等工藝的研發，形成了比較完整的特色工藝制造平臺。
據英飛凌官網披露信息，2019年士蘭微在全球IGBT器件的市場份額為2.2%，排名前十。
公司在多個領域的客戶不斷進展，市場份額快速擴張。
據公司公告，產品已經得到了小米、VIVO、OPPO、海康、大華、美的、格力、海信、海爾、匯川、LG、歐司朗、索尼、臺達、達科、日本NEC等全球品牌客戶的認可。根據公司年報披露，未來也將進軍風電、光伏等新能源領域，產品結構更加豐富、優化。
4.4.比亞迪半導體
公司屬于比亞迪股份的控股子公司，主要從事功率半導體、智能控制IC、智能傳感器及光電半導體的研發、生產及銷售。
自成立以來，公司以車規級半導體為核心，同步推動工業、家電、新能源、消費電子等領域的半導體發展。
在汽車領域，依托公司在車規級半導體研發應用的深厚積累，公司已量產IGBT、SiC器件、IPM、MCU、CMOS圖像傳感器、電磁傳感器、LED光源及顯示等產品，應用于汽車的電機驅動控制系統、整車熱管理系統、車身控制系統、電池管理系統、車載影像系統、照明系統等重要領域。
在工業、家電、新能源、消費電子領域，公司已量產IGBT、IPM、MCU、CMOS圖像傳感器、嵌入式指紋傳感器、電磁傳感器、電源IC、LED照明及顯示等產品，掌握先進的設計技術，產品持續創新升級。
經過長期的技術積累及市場驗證，公司積累了豐富的終端客戶資源并與之建立了長期穩定的合作關系，與下游優質客戶共同成長。
功率半導體方面，公司擁有從芯片設計、晶圓制造、模塊封裝與測試到系統級應用測試的全產業鏈IDM模式。
在IGBT領域，根據Omdia統計，以2019年IGBT模塊銷售額計算，公司在中國新能源乘用車電機驅動控制器用IGBT模塊全球廠商中排名第二，僅次于英飛凌，市場占有率19%，在國內廠商中排名第一，2020年公司在該領域保持全球廠商排名第二、國內廠商排名第一的領先地位。
在IPM領域，根據Omdia最新統計，以2019年IPM模塊銷售額計算，公司在國內廠商中排名第三，2020年公司IPM模塊銷售額保持國內前三的領先地位。
在SiC器件領域，公司已實現SiC模塊在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規模化應用，據公司招股書披露，公司也是全球首家、國內唯一實現SiC三相全橋模塊在電機驅動控制器中大批量裝車的功率半導體供應商。
5、風險提示?（1）新能源車銷量不及預期風險。
新能源車為IGBT功率器件帶來巨大的增量市場，若新能源車銷量不及預期，IGBT的發展會隨之受到影響。
（2）產品研發不及預期。
車規級對功率器件要求更為嚴苛，若國內廠商在產品研發上不及預期，無法跟上使用要求，對市場前景會產生不利影響。
（3）相關擴產項目不及預期。
國內主要車規級IGBT廠商均在大力擴產，若擴產項目不及預期，會對公司競爭力產生不利影響。
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作者：安信證券馬良
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